AlN 단결정 기판 설명
AlN 단결정 기판은 뛰어난 특성을 가진 광대역 갭 반도체 소재입니다.
밴드 갭은 6.2 eV이며, 직접 밴드 갭을 가지고 있습니다. 이는 중요한 파란색 및 자외선 발광 소재입니다. 높은 열전도도, 높은 융점, 높은 저항률, 강한 파괴 전계 및 낮은 유전율을 가지고 있습니다. 고온, 고주파 및 고전력 소자를 위한 뛰어난 전자 재료입니다. c-축을 따른 AlN은 매우 좋은 압전 특성과 고속 전파 특성을 가진 표면 음향파의 특성을 나타내며, 표면 음향파 소자를 위한 뛰어난 압전 재료입니다.
위에서 언급한 AlN 재료의 뛰어난 물리적 특성을 고려할 때, AlN 결정은 GaN, AlGaN 및 AlN 에피택셜 재료의 이상적인 기판입니다. 사파이어나 SiC 기판에 비해 AlN과 GaN은 열 적합성과 화학적 호환성이 높으며, 기판과 에피택셜층 간의 응력이 더 작습니다. 따라서 AlN 결정이 GaN 에피택셜 기판으로 사용되면 소자의 결함 밀도를 크게 줄여 성능을 향상시키고, 고온, 고주파, 고전력 전자 소자의 제작에 좋은 응용 전망을 가집니다.
AlN 단결정 기판 사양
구성 (정육면체)
|
AlN
|
사용 가능 면적
|
|
모서리 제외
|
1.0 mm
|
치수
|
10x10 mm
|
두께
|
450 ± 50μm
|
흡수 계수
|
< 80 cm-1
|
식각 구덩이 밀도 (EPD)
|
< 1E5 cm-2
|
표면 마감
|
Al 면: CMP 폴리시 (RMS < 0.8 nm)
N 면: 광학 폴리시 (RMS < 3 nm)
|
정렬
|
<0001>± 1°
|
AlN 단결정 기판 응용
질화알루미늄(AlN) 단결정 기판은 높은 열 전도성, 우수한 전기 절연성 및 넓은 밴드갭으로 인해 다양한 고급 응용 분야에서 필수적입니다. 고주파 및 고전력 전자기기에서, 효율적인 열 방출을 위해 RF 및 마이크로파 장치와 전력 전자기기에 사용됩니다. 광전자공학에서는 UV LED 및 레이저 다이오드를 지원하며, 우수한 열 관리를 제공합니다. MEMS 장치는 AlN 기판의 압전 특성과 열 안정성으로부터 이익을 봅니다. AlN 기판은 반도체 소자에서 특히 GaN 및 AlGaN 반도체의 성장에 중요하며, 고전력, 고주파 및 고온 소자의 성능을 향상시킵니다. 또한 SAW 및 BAW 필터 및 발진기와 같은 압전 장치, 고급 광전자기기 및 고전력 응용 분야에서의 열 확산기에도 사용됩니다. 또한 AlN 기판은 고온 센서, 압전 액추에이터, 양자 컴퓨팅 큐빗 기판 및 고체 조명 솔루션(LED 및 레이저 기반 시스템 포함)에 사용됩니다. AlN 단결정 기판의 다재다능성과 뛰어난 특성은 차세대 전자기기, 광전자공학, MEMS, 광전자 및 열 관리 기술 개발에 필수적입니다.
AlN 단결정 기판 포장
당사의 AlN 단결정 기판은 제품의 품질을 원래 상태로 보존하기 위해 보관 및 운송 중 신중하게 취급됩니다.
자주 묻는 질문
Q1 전력 전자기기에서 AlN이 선호되는 이유는 무엇인가요?
질화알루미늄(AlN)은 높은 열 전도도(약 200-300 W/m·K) 덕분에 전력 소자가 생성하는 열을 효율적으로 방출할 수 있어 전력 전자기기 기판으로 매우 선호됩니다. 또한 AlN은 전기적으로 절연되어 있어 단락 위험 없이 고전압 응용에 적합합니다. 높은 온도와 가혹한 환경을 견딜 수 있는 능력 또한 인기를 더합니다.
Q2 AlN 단결정 기판의 주요 특성은 무엇인가요?
AlN 단결정 기판의 주요 특성에는 다음이 포함됩니다:
- 높은 열전도성: 절연 재료 중 가장 뛰어난 열전도성을 가지며, 전력 전자기기 및 열에 민감한 장치에 필수적입니다.
- 전기 절연성: AlN은 훌륭한 전기 절연체로, 민감한 응용에서 원하지 않는 전류 흐름을 방지합니다.
- 압전 특성: AlN은 강력한 압전 특성을 보여 센서 및 액추에이터에 이상적입니다.
- 넓은 밴드갭: AlN은 약 6.2 eV의 큰 밴드 갭을 가지며, 높은 전압 및 고온 환경에서 우수한 성능을 발휘합니다.
- 기계적 강도: AlN 기판은 높은 기계적 강도와 경도를 지니고 있어 가혹한 조건에서도 내구성이 있습니다.
Q3 AlN이 Sapphire 또는 Silicon와 같은 다른 기판에 비해 어떤 점에서 다르나요?
AlN은 특정 응용 분야에서 Sapphire 및 Silicon과 몇 가지 장점을 가지고 있습니다:
- 열 전도성: AlN은 Sapphire 및 Silicon보다 훨씬 높은 열 전도성을 가지고 있어 열 방출이 중요한 고전력 전자기기에 더 적합합니다.
- 전기 절연성: Sapphire는 효과적인 전기 절연체가 아닌 반면, AlN은 고전압 응용에 이상적인 좋은 절연체입니다.
- 압전 특성: AlN은 다른 재료에 비해 뛰어난 압전 특성을 가지고 있어 센서, 액추에이터 및 공진기에 적합합니다.