LSAT 결정 기판에 대한 설명
더 일반적으로 사용되는 고온 초전도 박막 LaAlO3 결정에 비해 (La, Sr) (Al, Ta) O3 (LSAT라고 함)는 결정 구조가 동일하고 상전이 온도가 낮고 쌍둥이가 나타나기 쉽지 않아이 우수한 고온 초전도 박막 기판이 점차 인식되고 있습니다. 동시에 <111> 방향은 GaN과 동일한 육각형 대칭을 가지므로 GaN 및 AlN 필름의 기판 재료로 사용할 수 있습니다.
LSAT 결정 기판의 사양
| 주요 성능 파라미터 |
| 결정 구조 |
Cubic |
| 격자 상수 |
a=3.868 A |
| 녹는점(°C) |
1840 |
| 밀도 |
6.74（g/cm3） |
| 경도 |
6.5（mohs） |
| 유전 상수 |
22 |
| 열팽창 계수 |
10 x 10-6 /K |
| 외관 |
무색, 밝은 갈색 |
|
크기
|
10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20 |
| Ф2″ |
| 두께 |
0.5mm, 1.0mm |
| 폴리싱 |
단면 또는 양면 광택 |
| 크리스탈 방향 |
<100>, <110>, <111>±0.5º |
| 방향 정확도 |
±0.5° |
| 가장자리 방향 정확도: |
2°(1°의 특수) |
| Ra |
≤5Å(5µm×5µm) |
LSAT 결정 기판의 응용 분야
박막의 에피택셜 성장
LSAT 결정 기판은 뛰어난 격자 정합성과 열 안정성으로 인해 페로브스카이트 재료와 같은 복잡한 산화물 박막의 에피택셜 성장에 널리 사용됩니다.
- 고온 초전도체
LSAT 기판은 YBa₂Cu₃O₇(YBCO)와 같은 고온 초전도(HTS) 필름 증착에 이상적이며, 첨단 초전도 장치 및 연구에 응용할 수 있습니다.
- 강유전체 및 다중 강유전체 소자
LSAT 기판의 고유한 특성으로 인해 메모리 스토리지, 센서 및 액추에이터에 중요한 강유전체 및 멀티페로익 박막을 제작하는 데 선호되는 선택입니다.
- 스핀트로닉 애플리케이션
LSAT는 스핀 밸브, 자기 터널 접합 및 기타 스핀트로닉 기술에 필수적인 SrRuO₃ 및 La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ 같은 재료의 성장을 지원하여 스핀트로닉 디바이스 제조에 자주 사용됩니다.
- 산화물 기반 전자 제품
LSAT 기판은 다양한 산화물 소재와의 격자 불일치가 적어 트랜지스터 및 커패시터와 같은 산화물 기반 전자 소자의 개발을 지원합니다.
- 조정 가능한 유전체 공진기
LSAT의 유전체 특성은 가변 유전체 공진기, 필터 및 기타 통신용 고주파 부품에 사용하기에 적합합니다.
- 2차원 전자 가스(2DEG) 시스템
LSAT 기판은 양자 현상을 연구하고 차세대 양자 소자를 개발하는 데 핵심이 되는 산화물 계면에서의 2DEG 시스템을 만드는 데 사용됩니다.
- 포토닉 디바이스
LSAT는 레이저, 도파관 및 광 변조기에 적합한 광학적 특성을 가진 고품질 박막을 성장시키기 위한 포토닉 애플리케이션에 사용됩니다.
- 페로브스카이트 산화물 연구
LSAT 기판은 페로브스카이트 산화물 재료에 대한 연구를 가능하게 하여 과학자들이 잠재적인 새로운 응용 분야를 위해 자기, 전기 및 촉매 특성을 탐구할 수 있도록 합니다.
- 양자 컴퓨팅
LSAT 기판은 높은 열 안정성과 최소한의 결함으로 큐비트 및 기타 양자 구조를 제작할 수 있는 안정적인 플랫폼을 제공하여 양자 컴퓨팅에서 중요한 역할을 합니다.
LSAT 크리스탈 기판 패키징
LSAT 크리스탈은 정전기 방지 보호층, 방습 밀봉, 충격 흡수 재료로 세심하게 포장되어 안전한 운송과 보관을 보장합니다. 각 패키지에는 국제 배송 표준을 충족하는 상세한 라벨링과 문서가 포함되어 있습니다.
자주 묻는 질문
Q1 LSAT 기판은 고온 애플리케이션에 적합합니까?
예, LSAT 기판은 열 안정성이 뛰어나 초전도 필름 및 산화물 성장과 같은 고온 애플리케이션에 널리 사용됩니다.
Q2 LSAT 기판은 스핀트로닉 애플리케이션에 적합합니까?
예, LSAT 기판은 SrRuO₃ 및 La₀.₇Sr₀.₃MnO₃와 같은 재료와의 호환성으로 인해 스핀트로닉 소자에 일반적으로 사용됩니다.
Q3 LSAT 결정 기판은 어떤 용도로 사용되나요?
LSAT 결정 기판은 박막의 에피택셜 성장, 고온 초전도체, 스핀트로닉스, 강유전 소자, 양자 컴퓨팅 및 산화물 기반 전자 장치에 사용됩니다.
