에피택시얼 웨이퍼 SiC-GaN EPI 설명
에피택시얼 웨이퍼(EPI)는 기판 위에 성장한 반도체 얇은 필름을 가리킨다. 얇은 필름은 주로 P형, 양자 우물 및 N형으로 구성된다. 현재 주류 에피택시얼 소재는 질화갈륨(GaN)이며, 주요 기판 소재는 사파이어, 실리콘 및 실리콘 카바이드이다.
현재 일반적인 에피택시얼 레이어, 다층 구조 에피택시얼 레이어, 초고저항 에피택시얼 레이어 및 초두꺼운 에피택시얼 레이어는 실리콘 기판에서 사용할 수 있다. 에피택시얼 레이어의 저항률은 1,000 옴 이상에 도달할 수 있다. 전도도 유형은 P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+ 등 다양한 유형이 있다.
에피택시얼 웨이퍼 SiC-GaN EPI 사양
웨이퍼 직경
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4"
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5"
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6"
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8"
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EPI 레이어
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도펀트
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붕소, 인, 비소
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방향
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<100>, <111>
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전도도 유형
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P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+
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저항률
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0.001-50 옴-센티미터
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저항 uniformity
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기준 <6%, 최대 성능 <2%
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두께 (um)
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0.1-100
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두께 uniformity
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기준 <3%, 최대 성능 <1%
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기판
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방향
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<100>, <111>
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전도도 유형/도펀트
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P 형/붕소, N 형/인, N 형/비소, N 형/안티몬
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두께 (um)
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300-725
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저항률
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0.001-100 옴-센티미터
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표면 상태
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P/P, P/E
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입자
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<50@0.5um
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에피택시얼 웨이퍼 SiC-GaN EPI 적용 분야
실리콘 에피택시얼 웨이퍼는 다양한 반도체 장치를 제조하는 데 사용되는 핵심 소재로, 산업, 군사 및 우주 전자기기에서 활용된다.
에피택시얼 웨이퍼 SiC-GaN EPI 포장
당사의 에피택시얼 웨이퍼 SiC-GaN EPI는 제품 품질을 보존하기 위해 저장 및 운반 중에 신중하게 다루어진다.