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| 카탈로그 번호. | CY4004 |
| 재료 | GaGeTe |
| 크리스탈 크기 | 3-4 mm |
| 밴드 갭 | 0.2eV |
| 합성 방법 | CVT |
| 순도 | >99.999% |
GaGeTe Crystal 은 독특한 결정 구조와 전자적 성질을 지닌 다층 결정이다. Stanford Advanced Materials (SAM)은 고품질 반도체 제품의 제조 및 공급에 대한 풍부한 경험을 보유하고 있다.
관련 제품: SiTe2 crystal, ZrGeTe4 crystal, In2Se3 Crystal
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