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| 카탈로그 번호. | GA2269 |
| 재료 | GaP |
| 두께 | 400um |
| 전도성 유형 | N - 유형 |
| 지름 | Ø 2" |
| 크기 | 2'' 직경 x 400um-500um 두께, 5x5x0.3-0.5mm, 10x10x0.45mm, |
| 표면 마감 | 광택/비광택/단면 광택(SSP)/양면 광택(DSP) |
갈륨 인화물 웨이퍼(GaP)는 다른 III-V 화합물 재료와는 다른 독특한 전기적 특성을 가진 중요한 반도체 재료입니다. Stanford Advanced Materials(SAM)는 전자 및 광전자 산업에 최대 2인치 직경의 고품질 단결정 GaP 웨이퍼(갈륨 인화물)를 제공합니다.
관련 제품: 질화 갈륨 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 갈륨 비소 웨이퍼, 게르마늄 웨이퍼(Ge 웨이퍼).
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저작권 © 1994-2025 Stanford Advanced Materials 소유, Oceania International LLC, 판권 소유.
