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단종 (단종) CY4748 독일산 인화갈륨 결정 (GeP)

카탈로그 번호. CY4748
재료 게르마늄 인화물 결정(GeP)
순도 >99.99%
결정 구조 단선형
단위 셀 매개변수 a= 0.386nm, b= 0.444nm, c= 0.785nm, α= β= γ= 90°

Germanium Phosphide Crystal (GeP) 는 아연 블렌드 결정 구조를 가지고 있으며, 갈륨 비소(GaAs)와 동일한 구조를 가진다. Stanford Advanced Materials (SAM)은 고품질 광학 제품의 제조 및 공급에서 풍부한 경험을 가지고 있다.

관련 제품: ZnGeP2 (ZGP) 결정, 독일 셀렌 결정판 (Ge Crystal Sheet), 독일 웨이퍼 (Ge Wafer)

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