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  • CY9493 실리콘 웨이퍼(50nm 은 P형, Dia. 4인치 x 525μm 두께

    • CY9493 실리콘 웨이퍼(50nm 은 P형, Dia. 4인치 x 525μm 두께

    카탈로그 번호. CY9493
    재료 Si
    모양 디스크
    양식 기판

    50nm 은 P형 실리콘 웨이퍼, Dia. 4인치 x 525μm 두께의 반도체 기판은 p형 실리콘 베이스에 제어된 50nm 은 코팅이 적용된 반도체 기판입니다. Stanford Advanced Materials(SAM)는 정밀한 증착 기술과 표면 계측 기술을 사용하여 균일한 은 두께와 최소한의 결함 밀도를 보장합니다. 이 제품은 공정 표준을 엄격하게 준수하기 위해 생산 전 과정에서 상세한 치수 및 성분 분석을 거칩니다.

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    sc/1752221066-TA0075.jpg
    TA0075 탄탈룸 디실리사이드(TaSi2) 분말(CAS 번호 12039-79-1)
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    sc/1751898305-NR0103.jpg
    NR0103 질화규소 분말(CAS No.12033-89-5)
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    Nano Silicon Nitride (Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NN0219 나노 질화규소(Si3N4) 분말(CAS 번호 12033-89-5)
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    Micro Silicon Nitride (α-Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NR0220 마이크로 질화규소(α-Si3N4) 분말(CAS 번호 12033-89-5)
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    Micro Silicon Nitride (β-Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NR0221 마이크로 질화규소(β-Si3N4) 분말(CAS 번호 12033-89-5)
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    Nano Silicon Powder (Si) (CAS No.7440-21-3)
    NN0237 나노 실리콘 분말(Si)(CAS 번호 7440-21-3)
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    Micro Silicon Powder (Si) (CAS No.7440-21-3)
    NN0238 마이크로 실리콘 분말(Si)(CAS No.7440-21-3)
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    Nano Silicon Oxide (SiO2) Powder CAS NO. 7631-86-9
    OX0283 나노 실리콘 산화물 (SiO2) 분말 CAS NO. 7631-86-9
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