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  • CY9494 실리콘 웨이퍼(50nm 은 P형, Dia. 2인치 x 525μm 두께

    • CY9494 실리콘 웨이퍼(50nm 은 P형, Dia. 2인치 x 525μm 두께

    카탈로그 번호. CY9494
    재료 Si
    모양 디스크
    양식 기판

    실리콘 웨이퍼, 50nm 은 P형, Dia. 2인치 x 525μm 두께의 정밀 제조된 실리콘 기판은 P-Type 표면에 50nm로 증착된 제어된 은층을 특징으로 합니다. Stanford Advanced Materials(SAM)는 보정된 스퍼터링 공정과 엄격한 광학 검사를 통해 도펀트 균일성과 표면 결함 밀도를 모니터링합니다. 이 제조 공정은 일관된 전기적 성능과 치수 공차를 보장하여 반도체 공정 개발 및 프로토타이핑의 요구 사항을 충족합니다.

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    sc/1752221066-TA0075.jpg
    TA0075 탄탈룸 디실리사이드(TaSi2) 분말(CAS 번호 12039-79-1)
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    sc/1751898305-NR0103.jpg
    NR0103 질화규소 분말(CAS No.12033-89-5)
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    Nano Silicon Nitride (Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NN0219 나노 질화규소(Si3N4) 분말(CAS 번호 12033-89-5)
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    Micro Silicon Nitride (α-Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NR0220 마이크로 질화규소(α-Si3N4) 분말(CAS 번호 12033-89-5)
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    Micro Silicon Nitride (β-Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NR0221 마이크로 질화규소(β-Si3N4) 분말(CAS 번호 12033-89-5)
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    Nano Silicon Powder (Si) (CAS No.7440-21-3)
    NN0237 나노 실리콘 분말(Si)(CAS 번호 7440-21-3)
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    Micro Silicon Powder (Si) (CAS No.7440-21-3)
    NN0238 마이크로 실리콘 분말(Si)(CAS No.7440-21-3)
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    Nano Silicon Oxide (SiO2) Powder CAS NO. 7631-86-9
    OX0283 나노 실리콘 산화물 (SiO2) 분말 CAS NO. 7631-86-9
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