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  • CY9495 울트라 플랫 실리콘 웨이퍼 P형, Dia. 4인치 x 525μm 두께

    • CY9495 울트라 플랫 실리콘 웨이퍼 P형, Dia. 4인치 x 525μm 두께

    카탈로그 번호. CY9495
    재료 Si
    모양 디스크
    양식 기판

    울트라 플랫 실리콘 웨이퍼 P형, Dia. 4인치 x 525μm 두께의 실리콘 기판은 첨단 반도체 공정에 적합한 매우 평평한 표면과 정밀한 두께 제어를 특징으로 하는 실리콘 기판입니다. Stanford Advanced Materials(SAM)는 간섭계 표면 평가 및 고해상도 계측을 포함한 엄격한 공정 제어를 통해 평탄도와 균일성을 검증합니다. SAM의 시설은 클린룸 제조와 상세한 결함 검사를 통합하여 각 웨이퍼가 엄격한 허용 오차 기준을 충족하고 디바이스 제조 중 변동성을 최소화합니다.

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    sc/1752221066-TA0075.jpg
    TA0075 탄탈룸 디실리사이드(TaSi2) 분말(CAS 번호 12039-79-1)
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    sc/1751898305-NR0103.jpg
    NR0103 질화규소 분말(CAS No.12033-89-5)
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    Nano Silicon Nitride (Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NN0219 나노 질화규소(Si3N4) 분말(CAS 번호 12033-89-5)
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    Micro Silicon Nitride (α-Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NR0220 마이크로 질화규소(α-Si3N4) 분말(CAS 번호 12033-89-5)
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    Micro Silicon Nitride (β-Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NR0221 마이크로 질화규소(β-Si3N4) 분말(CAS 번호 12033-89-5)
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    Nano Silicon Powder (Si) (CAS No.7440-21-3)
    NN0237 나노 실리콘 분말(Si)(CAS 번호 7440-21-3)
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    Micro Silicon Powder (Si) (CAS No.7440-21-3)
    NN0238 마이크로 실리콘 분말(Si)(CAS No.7440-21-3)
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    Nano Silicon Oxide (SiO2) Powder CAS NO. 7631-86-9
    OX0283 나노 실리콘 산화물 (SiO2) 분말 CAS NO. 7631-86-9
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