바나듐 로터리 타겟, V 타겟 설명
바나듐 로터리 타겟, V 타겟은 고순도 바나듐(원자량 50.94g/몰)으로 제조된 스퍼터링 타겟으로, 증착 시 균일한 침식을 달성하기 위해 회전 메커니즘을 채택하고 있습니다. 이 설계는 정밀한 필름 두께 제어를 지원하고 국부적인 마모를 줄입니다. 맞춤형 치수로 표준 스퍼터링 시스템과의 통합을 보장하여 일관된 박막 처리를 위한 효과적인 솔루션을 제공합니다.
바나듐 로터리 타겟, V 타겟 특성
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파라미터
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값
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구성
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V
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순도
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≥99% 또는 사용자 지정
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형태
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대상
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모양
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관형
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밀도
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6.0g/cm3
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치수
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맞춤형
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녹는점
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1890℃
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*위의 제품 정보는 이론적 데이터를 기반으로 하며 참고용으로만 제공됩니다. 실제 사양은 다를 수 있습니다.
바나듐 로터리 타겟, V 타겟 응용 분야
산업용 스퍼터링 응용 분야
- 박막 증착 시스템에서 스퍼터링 타겟으로 사용되어 회전식 설계를 활용하여 균일한 박막 커버리지를 달성함으로써 침식을 고르게 분산시키고 공정 안정성을 향상시킵니다.
- 반도체 공정 장비에 적용하여 국부적인 스퍼터 손상을 최소화하고 전체적인 증착 균일성을 향상시킵니다.
연구 및 개발
- 재료 침식 역학을 연구하기 위한 스퍼터링 실험에서 테스트 샘플로 사용되며, 맞춤형 치수로 맞춤형 실험을 용이하게 합니다.
- 예측 가능한 침식 및 증착 특성으로 인해 공정 최적화 연구에서 벤치마크 재료로 사용됩니다.
바나듐 로터리 타겟, V 타겟 패킹
바나듐 로터리 타겟, V 타겟은 기계적 충격을 줄이고 표면 오염을 방지하기 위해 폼 쿠션이 내장된 밀폐된 정전기 방지 용기에 포장되어 있습니다. 이 패키징은 산화 위험을 최소화하기 위해 건조하고 온도가 조절되는 환경에 보관할 수 있도록 설계되었습니다. 특정 취급 요건을 충족하기 위해 불활성 가스 충전 및 특수 라벨링을 포함한 맞춤형 포장 옵션을 사용할 수 있습니다.
추가 정보
높은 융점과 뚜렷한 기계적 특성을 지닌 바나듐은 안정적인 스퍼터링 공정이 필요한 응용 분야에서 광범위하게 활용되고 있습니다. 열 열화에 대한 저항성과 고진공 환경과의 호환성 덕분에 첨단 박막 증착 기술에서 선호되는 소재입니다.
스퍼터링 타겟 외에도 바나듐은 내구성과 제어된 미세 구조가 필수적인 합금 배합 및 구조 부품에도 사용됩니다. 연구자와 엔지니어들은 다양한 고온 및 부식성 환경에서 바나듐의 유용성을 지속적으로 탐구하고 있습니다.