CY5457 패턴 사파이어 기판

카탈로그 번호.	CY5457
재료	단결정 Al2O3
치수	Dia. 50.80 ± 0.10, Dia. 100.00 ± 0.10 (mm)
연마	단면 광택, 에피 지원
순도	>99.99%

Patterned Sapphire Substrate는 고출력 개발에 광범위하게 사용되는 미세 패턴이 있는 사파이어 기판입니다. Stanford Advanced Materials (SAM)는 고품질 결정 기판을 제조 및 공급하는 풍부한 경험을 보유하고 있습니다.

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재료	단결정 Al₂O₃
등급	프라임, 에피-준비
표면 방향	C-면 (0001)
직경 (mm)	50.80 ± 0.10, 100.00 ± 0.10
두께 (μm)	660 ± 10
주 평면 방향	A-면(11-20) +/- 0.2°
주 평면 길이	16.0 mm +/- 1.0 mm
연마	단일 면 연마
두께 변동 (TTV)	≤10 um
휘어짐	15um
순도	>99.99%
패턴 폭 (μm)	2.75~2.85
패턴 높이 (μm)	1.65~1.85
패턴 피치 (μm)	3.0 ± 0.05

자재	단결정 Al₂O₃
등급	프라임, Epi-Ready
표면 방향	C-면 (0001)
직경 (mm)	50.80 ± 0.10, 100.00 ± 0.10
두께 (μm)	660 ± 10
주요 평면 방향	A-면(11-20) +/- 0.2°
주요 평면 길이	16.0 mm +/- 1.0 mm
연마	단일 측면 연마
총 두께 변화 (TTV)	≤10 µm
뒤틀림	15 µm
순도	>99.99%
패턴 너비 (µm)	2.75~2.85
패턴 높이 (µm)	1.65~1.85
패턴 피치 (µm)	3.0 ± 0.05

CY5457 패턴 사파이어 기판

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