SD6704 고주파 쇼트키 다이오드

카탈로그 번호.	SD6704
작동 온도	-55℃ ~ 125℃
치수	모델에 따라 다름

Stanford Advanced Materials (SAM)는 초고속 스위칭과 최소 전력 손실을 위해 설계된 프리미엄 품질의 고주파 샷키 다이오드를 제공합니다. RF, 마이크로파, 고속 디지털 응용 프로그램에 적합하며, SAM의 다이오드는 고주파 환경에서 뛰어난 성능을 보장합니다.

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CD1110 카드뮴 금속(Cd 금속)(CAS No.7440-43-9)

CD1111 황화 카드뮴 분말(CdS 분말)(CAS 번호 1306-23-6)

SE1112 셀레늄 금속(Se 금속)(CAS No.7782-49-2)

OX1113 삼산화 비스무트 분말(Bi2O3 분말)(CAS 번호 1304-76-3)

BS1114 비스무트(III) 황화물 분말(Bi2S3 분말)(CAS 번호 1345-07-9)

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특징	고주파 쇼트키 다이오드	일반 쇼트키 다이오드
스위칭 속도	초고속(세기 GHz 범위)	빠름(일반적으로 MHz 범위)
접합 정전 용량	매우 낮음(고주파 성능 향상을 위한)	높음, RF에 최적화되지 않음
전방 전압 강하(VF)	낮음(일반적으로 0.2V-0.4V)	낮음(0.3V-0.6V)
역 회복 시간	무시할 수 있음(RF/디지털 신호에 이상적)	짧지만 고주파 제품보다 길음
주파수 범위	수십 MHz에서 수 GHz까지	몇 MHz까지
주요 응용 분야	RF 믹서, 검출기, 고속 논리, 전력 검출	DC-DC 컨버터, 저전압 정류, SMPS
역 누설 전류	일반적으로 더 높고 RF 회로에서 관리 가능	보통, 정격 및 온도에 따라 변동
포장 유형	소형 SMD(예: SOD-123FL, SOD-123)	소형 신호 및 TO-220/SMC 전력 유형 포함
전력 처리	낮음에서 보통	보통에서 높음(MBR 시리즈와 같은 전력 유형)
비용	전문화된 설계로 인해 약간 더 높음	일반 목적 모델로 인해 낮음

유형	V_RRM	I_(AV)	I_FSM	V_F		I_R		패키지
유형	V	A	A	V	I_F (A)	mA	V_R (V)	패키지
PMEG2010ER	20	1	40	0.55	1	0.2	20	SOD-123FL
PMEG6010ER	60	1	40	0.7	1	0.3	60	SOD-123FL
DS22W	20	2	50	0.55	3	0.5	20	SOD-123FL
DS220W	200	2	40	0.95	2	0.3	200	SOD-123FL
B5817W	20	1	20	0.45	1	1	20	SOD-123G
BAS40H	50	0.5	-	0.52	0.5	2	40	SOD-123

SD6704 고주파 쇼트키 다이오드

고주파 쇼트키 다이오드 설명

고주파 쇼트키 다이오드 응용 분야

고주파 쇼트키 다이오드 포장

고주파 쇼트키 다이오드 FAQ

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