SD6706 탄화규소(SiC) 쇼트키 다이오드

카탈로그 번호.	SD6706
재료	SiC
작동 온도	-55℃ ~ 125℃
치수	모델에 따라 다름

Stanford Advanced Materials 는 높은 효율, 높은 전압 내성 및 초고속 스위칭을 위해 설계된 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드를 제공합니다. 전력 전자 및 재생 가능 에너지 시스템에 적합한 당사의 SiC 쇼트키 다이오드는 극한 환경에서 뛰어난 열 안정성과 신뢰성을 제공합니다.

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CD1110 카드뮴 금속(Cd 금속)(CAS No.7440-43-9)

CD1111 황화 카드뮴 분말(CdS 분말)(CAS 번호 1306-23-6)

SE1112 셀레늄 금속(Se 금속)(CAS No.7782-49-2)

OX1113 삼산화 비스무트 분말(Bi2O3 분말)(CAS 번호 1304-76-3)

BS1114 비스무트(III) 황화물 분말(Bi2S3 분말)(CAS 번호 1345-07-9)

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특징	실리콘 카바이드 (SiC) 쇼트키 다이오드	표준 쇼트키 다이오드
순방향 전압 강하 (VF)	초저전압 (0.2V-0.4V)	일반적으로 0.3V-0.6V
누설 전류 (IR)	특히 고온에서 매우 낮음	열 스트레스에서 높은 누설
스위칭 속도	빠름에서 초빠름	빠름
역전압 범위	10V에서 100V (모델에 따라 다름)	광범위, 일반적으로 150V까지
열 성능	탁월하며, 콤팩트하고 열 최적화된 설계	제조사 및 패키지에 따라 다름
패키지 옵션	콜백 SMD (SOD-323) 등	비교적 유사한 범위, 동급에서 종종 더 부피가 큼
응용 적합성	휴대용, 자동차 및 LED 회로에 최적화됨	일반적인 정류용
가격	약간 높은 편, 성능 및 크기에 따라 정당화됨	비교 가능한 등급에서 일반적으로 낮음

유형	V_RRM	I_(AV)	I_FSM	V_F		I_R		패키지
유형	V	A	A	V	I_F (A)	μA	V_R (V)	패키지
SSC0665D	650	6	66	1.34	6	1.2	650	PDFN5*6
SSC0665-T	650	6	66	1.34	6	1.2	650	TO-220-2
Q-SSC0865-TF	650	16.1	42	1.4	10	1	650	TO-220F-2L
Q-SSC05120-T	1200	5	51	1.4	5	15	1200	TO-220AC
Q-SSC2090-T7	900	20	125	1.39	20	20	900	TO-247-2

SD6706 탄화규소(SiC) 쇼트키 다이오드

실리콘 카바이드 (SiC) 쇼트키 다이오드 설명

실리콘 카바이드 (SiC) 쇼트키 다이오드 응용

실리콘 카바이드 (SiC) 쇼트키 다이오드 포장

실리콘 카바이드 (SiC) 쇼트키 다이오드 FAQ

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