산화바나듐(V2O5) 스퍼터링 타겟 설명
산화바나듐(V2O5) 스퍼터링 타겟은 첨단 박막 증착 공정에 탁월한 성능을 제공합니다. 순도 ≥99%로 제조되고 디스크 또는 맞춤형 구성을 포함한 다양한 모양으로 설계된 이 스퍼터링 타겟은 RF 스퍼터링 시 균일한 재료 분포와 안정성을 보장합니다. 690℃의 융점과 3.36g/cm³의 밀도 등 뛰어난 재료 특성으로 반도체, 태양광 및 디스플레이 기술 산업의 다양한 응용 분야에 이상적입니다.
산화바나듐(V2O5) 스퍼터링 타겟 응용 분야
- 반도체 제조: 마이크로 전자 부품 제조에 사용되는 RF 스퍼터링 공정에 필수적입니다.
- 디스플레이 기술: 고해상도 디스플레이 및 광학 장치용 박막 증착에 활용됩니다.
- 광전지: 태양전지 제조의 성능과 효율을 향상시킵니다.
- 고급 코팅 애플리케이션: 광학 코팅 및 센서 기술을 위한 우수한 소재 품질을 제공합니다.
산화바나듐(V2O5) 스퍼터링 타겟 패킹
당사의 산화바나듐(V2O5) 스퍼터링 타겟은 보관 및 운송 중에 제품의 무결성과 순도를 유지하기 위해 세심하게 포장됩니다.
- 진공 밀봉 포장으로 최적의 보호를 보장합니다.
- 고객별 요구 사항을 충족하는 맞춤형 포장 옵션을 제공합니다.
자주 묻는 질문
Q: 산화바나듐(V2O5) 스퍼터링 타겟을 사용하면 어떤 이점이 있나요?
A: 고순도와 균일성을 제공하여 RF 스퍼터링 공정에서 일관된 박막 증착과 우수한 성능을 보장합니다.
Q: 이 타겟으로 RF 스퍼터링 공정은 어떻게 진행되나요?
A: RF 스퍼터링은 무선 주파수 전력을 사용하여 타겟에서 입자를 제거하는 플라즈마를 생성한 다음 기판 위에 증착하여 박막을 형성합니다.
질문: 타겟을 맞춤형 모양으로 제작할 수 있나요?
A: 예, 표준 디스크 외에도 특정 애플리케이션 요구 사항을 충족하도록 타겟을 맞춤 제작할 수 있습니다.
Q: 재료 밀도가 스퍼터링 공정에 어떤 영향을 미칩니까?
A: 3.36g/cm³의 밀도는 안정적이고 일관된 스퍼터링 성능에 기여하여 증착 중에 균일한 재료 제거를 보장합니다.
Q: 산화바나듐(V2O5) 스퍼터링 타겟을 사용하면 어떤 산업에서 가장 큰 이점을 얻을 수 있나요?
A: 반도체 제조, 광전지 생산, 첨단 디스플레이 기술 및 특수 코팅 응용 분야에서 널리 사용됩니다.
사양
|
매개변수
|
값
|
|
재료
|
산화바나듐(V₂O₅)
|
|
CAS 번호
|
1314-62-1
|
|
순도
|
≥99%
|
|
녹는점
|
690℃
|
|
밀도
|
3.36g/cm³
|
|
스퍼터
|
RF
|
|
결합 유형
|
인듐, 엘라스토머
|
|
사용 가능한 크기
|
맞춤형
|
*위의 제품 정보는 이론적 데이터를 기반으로 하며 참고용으로만 제공됩니다. 실제 사양은 다를 수 있습니다.