인듐 황화물(In2S3) 스퍼터링 타겟 설명
인듐 황화물(In2S₃) 스퍼터링 타겟은 박막 증착 및 첨단 전자 제조의 고정밀 응용 분야를 위해 설계되었습니다. 최고급 재료와 최첨단 제조 공정을 활용하는 이 타겟은 RF, RF-R 및 DC를 포함한 다양한 스퍼터링 방법에서 일관된 성능, 높은 필름 균일성 및 탁월한 신뢰성을 보장합니다. 융점이 높고 밀도가 최적화되어 있어 까다로운 산업 환경에 적합하며, 맞춤형 사이즈로 다양한 애플리케이션 요구 사항을 충족할 수 있습니다.
인듐 황화물(In2S3) 스퍼터링 타겟 애플리케이션
- 박막 증착: 전자 및 광전지 장치에서 고품질 필름을 만드는 데 이상적입니다.
- 반도체 제조: 최첨단 소자 제작을 위한 정밀한 재료 증착을 제공합니다.
- 광전지: 효율적인 태양전지 성능에 필수적인 균일한 증착을 제공합니다.
- 과학 연구: 첨단 재료 연구의 실험 설정을 위한 신뢰할 수 있는 재료로 사용됩니다.
인듐 황화물(In2S3) 스퍼터링 타겟 패키징
당사의 In2S₃ 스퍼터링 타겟은 순도와 성능 무결성을 유지하기 위해 세심한 주의를 기울여 패키징됩니다. 일반적으로 타겟은 운송 중 오염과 기계적 손상을 방지하기 위해 진공 밀봉되어 안전하게 포장됩니다.
자주 묻는 질문
Q: 인듐 황화물(In2S₃) 스퍼터링 타겟과 호환되는 스퍼터링 방법은 무엇입니까?
A: 이 타겟은 RF, RF-R 및 DC 스퍼터링 방법을 지원하므로 다양한 애플리케이션에 다용도로 사용할 수 있습니다.
Q: 스퍼터링 타겟의 고순도 수준(≥99%)을 어떻게 유지하나요?
A: 엄격한 품질 관리 프로세스와 고급 제조 기술을 통해 모든 배치가 고순도 표준을 달성하고 유지할 수 있습니다.
Q: 스퍼터링 타겟을 맞춤형 크기로 제작할 수 있나요?
A: 예, 표준 디스크 모양 외에도 특정 프로젝트 요구 사항을 충족하는 맞춤형 크기를 기꺼이 제공합니다.
Q: 인듐 황화물(In2S₃) 스퍼터링 타겟의 주요 응용 분야는 무엇인가요?
A: 박막 증착, 반도체 제조, 광전지 생산 및 첨단 재료 연구에 주로 사용됩니다.
Q: 높은 융점이 스퍼터링 시 타겟의 성능에 어떻게 기여하나요?
A: 높은 융점(1010℃)은 뛰어난 열 안정성을 보장하여 고온의 스퍼터링 조건에서도 타겟이 안정적으로 작동할 수 있도록 합니다.
사양
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매개변수
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값
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재료
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황화 인듐(In₂S₃)
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구성
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In₂S₃
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CAS 번호
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12030-24-9
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순도
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≥99%
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모양
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디스크 또는 맞춤형
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융점
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1010℃
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밀도
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4.81g/cm³
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스퍼터링 방법
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RF, RF-R, DC
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결합 유형
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인듐, 엘라스토머
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사용 가능한 크기
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맞춤형
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*위 제품 정보는 이론적 데이터를 기반으로 하며 참고용으로만 제공됩니다. 실제 사양은 다를 수 있습니다.