주석(IV)-디셀레나이드 결정 설명
주석(IV)-디셀레나이드 결정은 간접 밴드갭을 가지는 반도체입니다. SnSe₂는 1.0 eV의 직접 밴드갭 반도체입니다. 단일층 형태에서는 1.4 eV의 직접 반도체가 됩니다. 이 결정은 뛰어난 광학적, 기계적, 전기적 특성을 나타냅니다. 각 결정은 고도로 결정성이 있으며 0001 방향으로 정렬되어 있고 쉽게 박리될 수 있습니다.
주석(IV)-디셀레나이드 결정 사양
재료
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SnSe2
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결정 크기
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~8 mm
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전기적 특성
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반도체
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결정 구조
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육방정계
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단위 셀 매개변수
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a = b = 0.381, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120°
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주석(IV)-디셀레나이드 결정 응용
주석(IV)-디셀레나이드 결정은 약 2.2 eV의 간접 밴드갭을 가지는 반도체입니다.
주석(IV)-디셀레나이드 결정 XRD

주석(IV)-디셀레나이드 결정 포장
저희 주석(IV)-디셀레나이드 결정은 제품의 원래 상태 품질을 유지하기 위해 보관 및 운송 시 신중하게 다룹니다.
주석(IV)-디셀레나이드 결정 질문과 답변
Q1: 주석(IV)-디셀레나이드(SnSe2)란 무엇인가요?
주석(IV)-디셀레나이드는 화학식 SnSe2를 갖는 화합물입니다. IV-VI 반도체 그룹에 속하며, 층상 구조의 n형 반도체로 형성됩니다.
Q2: 주석(IV)-디셀레나이드 결정의 특성은 무엇인가요?
SnSe2 결정은 간접 밴드갭 반도체 특성, 우수한 광학적 및 전기적 특성, 열적 안정성을 보입니다. 약 1.0 eV의 밴드갭을 가지며, 적외선 광전자공학 및 태양광 응용에 적합합니다.
Q3: 주석(IV)-디셀레나이드 결정은 어떻게 합성하나요?
SnSe2 결정은 화학 기상 수송(CVT), 브리지맨-스톡바거 기술, 기상 증착과 같은 방법으로 합성할 수 있습니다. 연구자들은 다양한 응용을 위해 SnSe2를 얇은 층 형태로 생산하기 위해 기계적 또는 액체 박리 기법을 사용합니다.