CY2538 비스무트 텔루라이드(Bi2Te3) 고배향 결정 기판

카탈로그 번호.	CY2538
치수	불규칙, 약 5x5x0.1mm, 10x10x0.1mm
재료	Bi2Te3
오리엔테이션	<0001>을 따라 고도로 배향된 레이어 구조
성장 방법	고압 수직 브리지맨

비스무트 텔루라이드(Bi2Te3) 고배향 결정 기판은 독특한 물리적 및 화학적 특성으로 인해 업계에서 널리 사용되어 왔습니다. 스탠포드 어드밴스드 머티리얼즈(Stanford Advanced Materials, SAM)는 다양한 크기의 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 고배향 결정 기판을 공급할 수 있습니다.

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비스무트 텔루 라이드 (Bi2Te3) 고 배향 결정 기판
결정 구조	육각형, 그룹 166, R-3M
성장 방법	고압 수직 브리지맨
격자 상수	a=4.38A c=30.5A
표면	쪼개짐
순도	99.999%, 원자 비율
융점	585 oC
저항률	0.1-5모옴.
이동성	3000 cm2 / V.s
포장	진공 비닐 봉투에 포장

비스무트 텔루라이드(Bi2Te3) 고배향 결정 기판
결정 구조	육각형, 그룹 166, R-3M
성장 방법	고압 수직 브리지맨
격자 상수	a=4.38A c=30.5A
표면	쪼개짐
순도	99.999%, 원자 비율
융점	585 oC
저항률	0.1-5모옴.
이동성	3000 cm2 / V.s
포장	진공 비닐 봉투에 포장

CY2538 비스무트 텔루라이드(Bi2Te3) 고배향 결정 기판

비스무트 텔루라이드(Bi2Te3) 고배향 결정 기판 설명

비스무스 텔루라이드 (Bi2Te3) 고배향 결정 기판 사양

비스무트 텔루라이드(Bi2Te3) 고배향 결정 기판 응용 분야

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