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카탈로그 번호. | CY4611 |
재료 | β-Ga2O3 |
등급 | 프라임 등급 |
치수 | Dia. 25.4mm-50.8mm, 길이 5mm-15mm 또는 맞춤형 |
밴드 갭 | 4.8~4.9eV |
오리엔테이션 | <201> <010> |
Gallium Oxide 는 넓은 밴드갭 반도체 소재입니다. Stanford Advanced Materials (SAM)는 고품질 광학 제품의 제조 및 공급에 대한 풍부한 경험을 보유하고 있습니다.
관련 제품: Gallium Nitride Wafer, Gallium Phosphide Wafer, Sapphire Wafer, Silicon Wafer
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