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Stanford Advanced Materials
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IN2272 인화인듐 웨이퍼

카탈로그 번호. IN2272
재료 InP
두께 350 um - 625 um
전도성 유형 N - 유형
지름 Ø 2" Ø 3" Ø 4"

스탠포드 어드밴스드 머티리얼즈(SAM)는 GaAs 웨이퍼, GaP 웨이퍼, GaSb 웨이퍼, InAs 웨이퍼, InP 웨이퍼를 포함한 다양한 화합물 웨이퍼를 제공합니다.

관련 제품 질화 갈륨 웨이퍼, 갈륨 비소 웨이퍼, 게르마늄 웨이퍼(Ge 웨이퍼), 갈륨 인화물 웨이퍼, 인듐 비소 웨이퍼.

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